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   如今使用的陶瓷基板或DPC直接鍍銅、直接鍵合銅DBC或者LTCC低溫共燒陶瓷、HTCC高溫共燒陶瓷技術(shù)。

   由于絲網(wǎng)印刷工藝的限制，Ag印刷、LTCC和HTCC基板的分辨率和導(dǎo)電材料厚度較差。較差的分辨率使這些材料難以用于高密度和倒裝芯片器件設(shè)計(jì)。并且相關(guān)的更薄的導(dǎo)電材料（通常﹤20μm）限制了設(shè)計(jì)的額定功率。

   dpc陶瓷基板目前廣泛應(yīng)用于電源電路設(shè)計(jì)，但由于覆銅工藝要求，需要300μm以上的銅層厚度。任何較低銅厚度的設(shè)計(jì)都應(yīng)該進(jìn)行額外昂貴的研磨。此外，dbc材料難以提供給多層走線設(shè)計(jì)。

   目標(biāo)是希望為高功率和高器件密度應(yīng)用提供具有多層陶瓷基板的解決方案。此外，還要考慮材料特性，金屬/陶瓷的附著力。以下是開(kāi)發(fā)所需的材料特性：

   低電阻材料：銅

   厚度超過(guò)3μm的厚線材料

   用于TSV電鍍（鉆孔AI2O3/AIN基板）或非收縮 LTCC 材料的高導(dǎo)熱性和穩(wěn)定性陶瓷

   高金屬跡線分辨率，線寬和間距僅為 50 um

   良好的金屬/陶瓷粘合均勻性和強(qiáng)度要求：金屬/陶瓷之間的空隙<1%；粘合強(qiáng)度>2 kg/2*2mm。

方法和結(jié)果：

   金屬痕跡電鍍：針對(duì)微量金屬的高分辨率和更低材料電阻的要求，我們引入了電鍍直接鍍銅dpc陶瓷基板技術(shù)。

   使用鈦?zhàn)鳛殂~和陶瓷之間的組合/緩沖層將第一層銅濺射在陶瓷基板上，以提供良好的粘合強(qiáng)度和穩(wěn)定性。第二種銅是通過(guò)電鍍工藝制成的，以將其厚度增加到 3 到 5 盎司。(100~150um)。金屬跡線電鍍的關(guān)鍵技術(shù)是濺射層的材料控制和電鍍過(guò)程中第二銅層的應(yīng)力釋放。

   多層陶瓷基板：對(duì)于雙層設(shè)計(jì)，我們使用帶有導(dǎo)電通孔設(shè)計(jì)的燒結(jié) Al2O3 或 AlN 基板。通孔由激光鉆孔制成。正面和背面的導(dǎo)電通過(guò)以下電鍍工藝連接。

   該工藝的關(guān)鍵技術(shù)是過(guò)孔的穩(wěn)定性。我們必須確保高溫激光鉆孔過(guò)程中的通孔清潔、雜質(zhì)去除和材料變化得到很好的控制。

   對(duì)于三層以上的設(shè)計(jì)，使用不收縮的 LTCC。不收縮的LTCC的尺寸失配可以控制在100μm以內(nèi)，比普通的LTCC/HTCC好很多。通過(guò)后續(xù)dpc陶瓷基板工藝的修正，可以將金屬跡線的公差控制在<30μm。

   該工藝的關(guān)鍵技術(shù)是不收縮的LTCC技術(shù)和DPC陶瓷金屬在LTCC材料上的附著力。