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dpc陶瓷基板以其優異的性能和逐漸降低的價格，在眾多電子封裝材料中顯示出強大的競爭力作為熱和空氣的大功率LED封裝基板對空氣對流的載體，其導熱性對LED的散熱起著決定性的作用，也是大功率電子器件在未來上的趨勢。

隨著科學技術的發展，新的制備技術目前，高導熱陶瓷材料作為一種新型電子封裝基板材料，應用前景十分廣闊。LED散熱通道中陶瓷基板是連接內外散熱通道的關鍵環節，散熱通道電路連接和芯片物理支撐的功能。作為led核心芯片輸入功率的不斷提高，大功率給LED封裝材料帶來了較大的熱量，對材料提出了更新、更高的要求。對于大功率LED產品，陶瓷基板封裝要求具有高電絕緣性、高導熱性、匹配芯片熱膨脹系數等特性。樹脂封裝基板：成本高，配套普及困難，EMC和SMC成型設備要求高，大規模普及仍困難。

近年來興起的SMT LED支架普遍采用耐高溫改性工程塑料材料，PPA(polyphthalamide)樹脂為原料PPA塑料導熱系數很低，其散熱主要通過金屬引線框架，散熱能力有限，只適用于小功率LED封裝。   

隨著LED封裝向薄型化和低成本化發展，板上芯片（COB）封裝技術逐漸興起。目前大部分COB封裝基板采用金屬芯印制電路板，大功率LED封裝多采用這種基板，其價格介于中高端之間。目前生產的一般大功率LED散熱基板，其絕緣層導熱系數很低，而且由于絕緣層的存在，不能承受高溫焊接限制了封裝結構，不利于LED散熱耗散。  

近年來，硅基材料作為LED封裝基板技術，逐漸從半導體行業引入到LED行業。硅基板的導熱性和熱膨脹性表明硅與LED匹配的封裝材料連接，硅的熱導率為140W/mK，用于LED封裝時產生的熱阻僅為066K/W：硅基材料廣泛應用于半導體工藝及相關封裝領域，相關設備及材料相當成熟。因此，如果將硅制成LED封裝陶瓷基板很容易形成量產。但是，LED硅基板封裝還存在很多技術問題。比如材料硅容易開裂，機械強度也有問題。從結構上看，硅是優良的導熱體，但絕緣性較差，必須做氧化絕緣處理。此外，金屬層應濺射導電孔應采用電鍍的方式制備。總的來說絕緣層、金屬層和通孔的制備面臨挑戰，良率不高。目前有部分臺企研發LED硅基板并量產，但良率不足60%。

DPC陶瓷基板提高散熱效率，滿足大功率LED陶瓷基板的高導熱性需求。DPC工藝提高散熱效率，最適合開發大功率、小尺寸LED產品。陶瓷散熱基板采用新型導熱材料和全新的內部結構，彌補了鋁金屬基板的缺陷，從而提高基板的整體散熱效果。在可用作散熱基板的陶瓷材料中，BeO具有較高的導熱率。但其線膨脹系數與硅（Si）相差很大，制造時有毒，限制了其應用。BN綜合性能好，但作為基板材料沒有突出優勢，而且價格昂貴，目前只在研究和推廣中；碳化硅（SiC）具有高強度和高導熱性，但其電阻和絕緣值較低，金屬化后鍵合不穩定，會引起導熱率和介電常數的變化，不宜用作絕緣封裝基板材料。Al203陶瓷基板是應用最廣泛的陶瓷基板，但由于其熱膨脹系數比Si單晶高，因此AI203陶瓷基板不適用于高頻、大功率、超大規模集成電路。AIN晶體具有高導熱性，被認為是下一代半導體基板和封裝的理想材料。

自1990年代以來，AIN陶瓷材料得到了廣泛的研究和逐步發展。目前被廣泛認為是一種很有前途的電子陶瓷封裝材料，AIN陶瓷基板的散熱效率是AI203基板的7倍，使用干式大功率LED的AIN陶瓷基板散熱效率顯著，從而大大提高了LED的使用壽命。AIN基板的缺點是即使表面有很薄的氧化層，也會對導熱性有很大的影響。只有嚴格控制材料和工藝，才能生產出一致性好的AIN基板。與目前廣泛使用的Al2O3基板相比，AIN基板的成本約為A12O3的3～5倍。既然能量已經產生，可以快速降低AIN基板的成本，散熱效率強的AIN基板將替代A12O3基板。  

dpc陶瓷基板也稱為直接鍍銅陶瓷基板。DPC產品具有電路精度高、表面平整度高的特點，非常適合LED鍍膜/共晶工藝。采用高導熱陶瓷基板，散熱效率顯著提高，是最適合大功率、小尺寸LED發展的陶瓷散熱基板。北京阿爾泰科技發展有限公司也在積極做這項工作的研發，總之采用dpc陶瓷基板將是未來大功率LED發展的趨勢。