熱門關鍵詞:展至科技 氧化鋁陶瓷基板/支架 氮化鋁陶瓷基板/支架 陶瓷覆銅板 陶瓷電路板
隨著高新科技的不斷發(fā)展,對于目前需要的氣密封裝的光學器件,通常需要在dpc陶瓷基板上設置箱壩,利用箱圍壩里所配置的空間并可填充封裝膠,從而實現(xiàn)更佳的氣密性。
現(xiàn)有的技術中,一般是采用金屬圍壩,利用焊料直接焊接在鍍銅dpc陶瓷基板上,雖然這種方式可以焊接連接箱壩和dpc陶瓷基板,但是,由于熔斷銅點較高,那么這種封裝最需要800℃以上的高溫通過箱壩焊接在dpc陶瓷基板上,這個高溫是對dpc陶瓷基板最大的考驗,對dpc陶瓷基板的影響很大。而產(chǎn)品質(zhì)量在這種高溫的焊接方式既消耗能量,又不利于量化生產(chǎn)。
對于針對現(xiàn)有技術存在的消失,其主要目的在于提供一種帶金屬圍壩的dpc陶瓷基板制備方法,然而它可以有效解決現(xiàn)有采用高溫方式和采用箱壩焊接在dpc陶瓷基板上,那么這容易造成質(zhì)量下降和功耗不利于量化生產(chǎn)的問題。為實現(xiàn)上述情況,一種帶金屬圍壩的dpc陶瓷基板制備方法,包括以下幾個步驟:
(1)制作陶瓷基板和圍壩;
(2)陶瓷基板上電鍍?nèi)埸c為240℃-400℃合金材料形成第一焊層,圍壩外表面電鍍?nèi)埸c為240℃-400℃合金材料形成第二焊接層;
(3)在第一焊縫表面覆蓋一層氧化皮粉或焊料形成關節(jié)面,在陶瓷基板上放置圍壩,使第二焊縫層層疊在關節(jié)面,形成半成品;
(4)半成品交叉回流焊,在惰性氣體保護下,溫度控制在240℃-400℃之間。使第一焊層和第二焊層焊接在一起;
(5)取出冷卻即可形成成品;
作為一種可選方案,所述陶瓷基板包括基板、上銅板和下銅板,在其上銅板和下銅板分別設置在基板的上下表面,其上設有通孔該基板,該過孔的導通連接在銅板和下銅板之間,且上述第一焊接層設置在銅板的表面上。
以上就是本文通過在dpc陶瓷基板和圍壩上預先鍍上熔點,為240℃-400℃的合金材料形成第一焊縫層和第二焊縫層,并配合氧化皮粉或者在第一焊縫層和第二焊縫層之間放置焊料,然后再過回流焊,將第一焊縫層和第二焊縫層焊接在一起,本發(fā)明方法可以在240℃的低溫環(huán)境下進行。400℃,有效防止高溫對產(chǎn)品質(zhì)量的影響,工藝簡單,最節(jié)能,易于再次量產(chǎn),本發(fā)明方法可用于Can、IC、LED等級別的密封封裝和芯片封裝,具有廣闊的應用前景,尤其是目前有望興起的開發(fā)UV LED是一種實現(xiàn)量產(chǎn)的有效途徑。