熱門關鍵詞:展至科技 氧化鋁陶瓷基板/支架 氮化鋁陶瓷基板/支架 陶瓷覆銅板 陶瓷電路板
如今毫無疑問,它屬于信息技術時代。隨著微電子工業的快速發展,氮化鋁陶瓷基板已廣泛用于制造超大規模集成電路。作為一種高導熱陶瓷基板和封裝材料,氮化鋁陶瓷基板如今已備受關注。
毋庸置疑,氮化鋁的優點是其熱導率是最廣泛使用的氧化鋁陶瓷的7倍。同時它具有低介電常數、與氧化鋁相比的優良電性能、與硅相近的熱膨脹率、高比強度、低密度、無毒等特點。因此,在使用氮化鋁陶瓷基板的電子元件的“輕”,著實令人羨慕。但有得也有失。目前,氮化鋁陶瓷基板面臨著一個很大的困境,即高昂的成本在一定程度上影響了其應用推廣。
那么這些成本從何而來?如前所述,氮化鋁的導熱性非常出色(理論上可達320W/m-k)。但由于氮化鋁陶瓷中的雜質和缺陷,產品的導熱系數與理論值相差甚遠。因此,為了盡可能接近理論熱導率并突出氮化鋁本身的優勢,制造商必須在基板的制備中處處檢查,以避免出現明顯的性能缺陷。而每一道工序的改進,以及“高成本”的結果,自然是順理成章的。以下文分析成本較高的氮化鋁陶瓷。
一、氮化鋁粉末的制備
首先是原材料。氮化鋁粉末用作制備最終陶瓷產品的原料,其純度、粒度、氧含量及其他雜質含量對后續產品的導熱性、后續燒結和成型工藝有著重要影響,是最終產品性能好壞的基石。
氮化鋁粉末的合成方法如下:
1. 直接氮化法:在高溫氮氣氣體下,鋁粉與氮氣直接結合生成氮化鋁粉,反應溫度一般為800℃~1200℃。
2. 碳熱還原法:將氧化鋁粉和碳粉的混合粉在流動的氮氣中在高溫(1400℃~1800℃)中還原氮化,形成氮化鋁粉。
3. 自蔓延高溫合成法:此法為鋁粉直接氮化,充分利用鋁粉直接氮化作為強放熱反應的特點。將鋁粉置于氮的中點,然后通過鋁和氮之間的高化學反應熱維持反應,合成氮化鋁。
4. 化學氣相沉積法:鋁的揮發化合物與氮氣或氨氣反應,從氣相中沉淀出氮化鋁粉末;根據鋁源不同,可分為無機(鹵化鋁)和有機(烷基鋁)化學氣相沉積。
顯然高純度、細粒度和窄粒度分布的氮化鋁粉體所需的工藝要么是成本高、制備工藝復雜、生產效率低、要么是設備要求高。這一系列困難的后果是優質氮化鋁粉的價格上漲。
二、氮化鋁陶瓷成型
氮化鋁粉末的成型工藝較多、可適用成型、熱壓、等靜壓等傳統成型工藝。其中,熱壓和等靜壓適用于制備高性能塊體氮化鋁陶瓷材料,但成本高、生產效率低,不能滿足電子行業對氮化鋁陶瓷基板日益增長的需求。為了解決這個問題,近年來已經通過流延成型形成氮化鋁陶瓷基板,流延成型也成為電子工業用氮化鋁陶瓷基板的主要基本成型工藝。
另外,由于氮化鋁粉體的親水性強,為了減少氮化鋁的氮化或者在成型的過程中避免與水接觸,即需要用有機漿料制備氮化鋁陶瓷材料。但由于所用有機溶劑揮發性強,會對環境和人體產生不良影響,造成環境污染問題;不需要提高氮化鋁粉末的表面抗水解能力,如借助疏水性和親水性有機物在氮化鋁表面形成涂層,或在一定氧分壓氣氛下對氮化鋁粉末進行處理,形成致密的氧化鋁其表面的層等。
三、氮化鋁陶瓷的燒結
氮化鋁的燒結工藝比較苛刻,燒結或熱壓燒結溫度常在1800℃以上。為實現致密燒結,降低雜質和晶界相含量,簡化工藝,降低成本,氮化鋁陶瓷燒結工藝的要點如下:首先,選擇合適的燒結工藝和氣氛;二是選擇合適的燒結助劑。
1、燒結工藝
氮化鋁的自擴散系數低,燒結非常困難。氮化鋁陶瓷基板一般有五種常見的燒結工藝。
①熱壓燒結:即在一定壓力下對陶瓷進行燒結,可以同時進行加熱燒結和加壓成型,得到晶粒細小、相對密度高、力學性能好的陶瓷。
② 無壓燒結:燒結工藝簡單。常壓燒結氮化鋁陶瓷的一般溫度范圍為1600-2000℃。適當提高燒結溫度,延長保溫時間,可以提高氮化鋁陶瓷的密度,但強度相對較低。
③微波燒結:微波燒結也是一種快速燒結方法,利用微波與介質的相互作用,產生介電損耗,使整體發熱。
④火花等離子燒結:集等離子活化、熱壓、電阻加熱等技術于一體,具有燒結速度快、晶粒尺寸均勻等特點,但設備成本高,加工工件尺寸有限。
⑤自蔓延燒結:即在超高壓氮氣下通過自蔓延高溫合成反應直接制備致密的AlN陶瓷材料。但是,由于原料中的氮化鋁在高溫燃燒反應下易熔化,阻礙了氮向坯料的滲透,因此很難獲得高密度的氮化鋁陶瓷基板。
2、燒結氣氛
目前氮化鋁陶瓷的燒結氣氛有中性氣氛、還原氣氛和弱還原氣氛三種。普通N2用于中性氣氛,CO用于還原氣氛,H2用于弱還原氣氛。
在還原氣氛中,氮化鋁陶瓷的燒結時間和保溫時間不宜過長,燒結溫度也不宜過高,以免氮化鋁被還原。上述情況在中性氣氛下不會發生,因此一般選擇在氮氣中燒結以獲得更高性能的氮化鋁陶瓷。
3、燒結助劑的添加
在氮化鋁陶瓷基板的燒結過程中,除了影響產品性能的工藝和氣氛外,燒結助劑的選擇也尤為重要。
氮化鋁燒結助劑一般為堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物。助燒劑主要有兩個作用:一方面形成低熔點相,實現液相燒結,降低燒結溫度,促進生坯致密化;另一方面,高導熱性是氮化鋁襯底的重要性能。由于氮化鋁襯底中存在氧雜質等各種缺陷,熱導率低于理論值。添加燒結助劑可與氧發生反應,使晶格完整,提高導熱性。
用于燒結氮化鋁陶瓷的燒結助劑主要有Y2O3、Cao、Yb2O3、Sm2O3、li2o3、B2O3、CaF2、yf3、CaC2等或它們的混合物。選擇多種復合燒結助劑,往往能獲得比單一燒結助劑更好的燒結效果,實現氮化鋁低溫燒結,降低能耗,便于連續生產。為了找到合適的低溫燒結助劑,廠家往往需要投入大量的時間和精力進行研發,所以這部分也會體現在氮化鋁陶瓷基板的價格上。