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隨著進入二十二世紀(jì)以來，在提高能源效率與降低能源消耗已經(jīng)成為全球范圍內(nèi)一個非常關(guān)鍵的問題。在碳化硅陶瓷基板成為第三代半導(dǎo)體高壓領(lǐng)域理想材料，而第一代半導(dǎo)體以硅為主要材質(zhì)。那么碳化硅基板功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝逐步完善，其中碳化硅基板在半導(dǎo)體已經(jīng)開始在多個工藝領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化硅為材料的功率模塊具備低開關(guān)損耗、高環(huán)境溫度耐受性和高開關(guān)頻率的特點，因此采用碳化硅材料的新一代電控效率更高、體積更小并且重量更低。

及未來2025年碳化硅陶瓷基板功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模有望達到30億美元，在未來的10幾年內(nèi)，碳化硅器件將開始大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動汽車領(lǐng)域。未來碳化硅在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力。

目前碳化硅主流尺寸處于4英寸向6英寸過渡階段，單晶尺寸的增加往往會伴隨著結(jié)晶質(zhì)量的下降，碳化硅襯底從1~8英寸不等，主流尺寸為4~6英寸。由于尺寸越大，生產(chǎn)效率越高，但生產(chǎn)品質(zhì)控制難度越高，因此目前6英寸主要用于二極管，4英寸主要用于MOSFET。由于6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造成用于生產(chǎn)SiC器件，所以預(yù)計6英寸SiC襯底的高市占率會維持較長時間。

功率器件是化合物半導(dǎo)體的主要應(yīng)用之一，隨著各國逐步推進電動車等新能源汽車，同時智能駕駛、車聯(lián)網(wǎng)帶動汽車硅含量提升，將是車規(guī)級功率、射頻器件的主要驅(qū)動力。

   目前碳化硅陶瓷基板半導(dǎo)體仍處于發(fā)展初期，晶圓生長過程中易出現(xiàn)材料的基面位錯，以致碳化硅器件可靠性下降。另一方面，晶圓生長難度導(dǎo)致碳化硅材料價格昂貴，預(yù)計想要大規(guī)模得到應(yīng)用仍需一段時期的技術(shù)改進。