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由于目前LED中廣泛使用的是DPC陶瓷基板技術(shù)，即利用直接鍍膜技術(shù)，在AI2O3陶瓷頂層上沉積0.06毫米以下的本銅，以滿足LED產(chǎn)品電路的細致要求，強度低。隨著LED向大功率、小電流的發(fā)展。dpc陶瓷基板已不能滿足要求，而直接覆銅DBC陶瓷基板具有良好的機械性能，極好的電絕緣性能力開始逐漸應(yīng)用于LED產(chǎn)品。

對于DBC陶瓷基板，目前成熟的工藝是0.1毫米~0.4毫米厚的銅，但不能直接用于LED產(chǎn)品，需要采用特殊的加工方式才能將銅層厚度減薄至60μm以下，工序復(fù)雜、成本高、銅層厚度不均勻影響產(chǎn)品性能。而覆銅0.1毫米以下，是目前工藝燒結(jié)泡沫多，收益率低。

研究中主要目的在于提供一種直接制作銅厚為0.06毫米的DBC陶瓷基板，后續(xù)無需再進行加工，直接用于LED產(chǎn)品、制成方法及其制成產(chǎn)品良率高的薄銅DBC陶瓷基板。為了解決上述需要的技術(shù)問題，在薄銅制成DBC陶瓷基板的方法中包括了以下步驟：

第一步，用清洗液清洗陶瓷基板和銅片；

第二步，對銅片進行氧化；

第三步，將第一片銅片、第二片銅片依次燒結(jié)在陶瓷基板上；

在清洗液為酸堿溶液或去離子水，第一銅片和第二銅片的氧化溫度為500℃~900℃，氧化時間為10min~30min，氧化氣氛為下氧化氣氛氮氣保護，其中氧氣含量為50ppm~3000ppm。在第一銅片的燒結(jié)溫度為1060℃~1075℃，燒結(jié)時間為20min~35min，氣氛為氮氣保護的氧化氣氛，其中氧氣含量為5ppm~40ppm。在第二銅片的燒結(jié)溫度為1065℃~1080℃，燒結(jié)時間為20min~35min，氣氛為氮氣保護的氧化氣氛，其中氧含量為5ppm~40ppm。所以在第一銅片和第二銅片的厚度為0.06mm，所以陶瓷基板的厚度為0.25mm。

    在厚度0.1毫米~0.4毫米銅DBC陶瓷基板不能用于大功率、LED元器件產(chǎn)品的路徑，而厚0.06毫米銅DBC陶瓷基板可以滿足這一需求。制成的0.06毫米銅的DBC陶瓷基板燒結(jié)氣泡本發(fā)明的薄銅DBC陶瓷基板的制成方法少，成品率高；銅片氧化溫度低于厚銅氧化溫度；銅片氧化時氧含量大于厚銅氧化時的氧含量高。