一级黄片黄片大全系列在线观看_一级毛阿片视频网站_黄色一级高清无码_欧美AAA级特黄劲早视频_国产黄色美女色一级免费观看_AAAAA特级大黄片_欧美性爱一级黄色免费_黄色一级a美女毛片_一级强奸电影网站

微機電系統因其巨大的能力和良好的品質而經常用于T/R模塊，特別是用于空間模塊化應用。將MEMS技術用于射頻應用可以制成高性能和低成本的集成元件，如可變電容器、電感器和開關。

因此，RF MEMS技術提供了先進的解決方案射頻信號切換設備。該技術允許大幅減少設備尺寸和連接數量，以在0到50 GHz的大帶寬信號下運行，并具有一致的性能。事實上，MEMS器件由于其極小的尺寸、開路狀態下的高隔離度、短路狀態下的低插入損耗和高線性質而被認為是一種很有前景的技術。此外，將MEMS器件與傳輸線單片集成在具有高介電常數的襯底上，例如陶瓷基板陶瓷襯底氧化鋁、氮化鋁、LTCC等，可以制造復雜的器件例如移相器、功率分配器、可調諧濾波器、耦合器等。

射頻MEMS制造只需要表面微加工技術，Optel技術獨立于所使用的陶瓷基板，因為它只需要薄膜PVD金屬沉積、CVD鈍化和電鍍金。

Optel技術能夠在不同的基板上制造可靠的射頻MEMS器件：

1、Si（用于消費電子和CMOS技術的集成）

2、GaAs（用于半導體技術和高頻應用中的集成）

3、GaN/Si（用于單片集成有源大功率、高速放大電子器件，例如GaN-HEMT）

此外，除了半導體陶瓷基板之外，RF MEMS器件已在陶瓷如氧化鋁和LTCC拋光基板上單片制造。使用陶瓷基板的主要優點是良好的熱穩定性、優異的硬度和耐磨性、良好的耐腐蝕性、優異的介電性能和可接受的導熱性。

在制造過程的穩定性是由于Optel技術在靜電和電磁水平上對半導體上MEMS器件進行了許多改進。雖然，陶瓷基板不受電離輻射的影響，因此避免了空間應用中產生電荷的許多問題。最后，電荷俘獲現象是半導體上RF MEMS器件失效的最重要原因之一，也可以完全避免，因為高隔離基板上不需要電介質。事實上，去除梁下方的電介質，以及引入固定在基板上或集成到梁中的凹坑以停止橋驅動，

此外，Optel技術是一種低成本技術，相對于成熟的硅上射頻MEMS制造而言。事實上，半導體基板比陶瓷基板更昂貴，提出的技術是一種用于微電子無源器件的工藝。這可以在沒有源IC的過程（例如摻雜、離子注入和氧化物生長）的情況下完成。

在RF MEMS器件的標準提議工藝中，有4個金屬化層：一個電阻層、一個導電層和2個電流厚度層。它們由2個鈍化層隔開，其中通孔打開以提供與底層的互連。犧牲層是光致抗蝕劑，其上的膜由電流生長限定。

作為第一步，沉積600nm厚的氮化硅作為絕緣層，沉積并定義高電阻金屬以創建驅動焊盤和偏置線。接下來，沉積新的氮化硅層以提供驅動電極所需要的高隔離度，然后在氮化硅層內定義和蝕刻接觸直流通路。沉積并定義多層金屬地下通道以及在電橋下方創建射頻線，并由第二鈍化層覆蓋，該鈍化層為射頻線提供絕緣層。然后，在氮化硅內打開射頻通孔。接下來，沉積并定義金屬層以提供低電阻電接觸。定義懸梁所需的犧牲層由3微米?厚的光刻膠，在電鍍金之前沉積多金屬層以獲得電連續性層。然后，生長1?微米厚的金屬層來定義膜，并生長2?微米厚的金屬層來定義RF線。最后，通過等離子蝕刻工藝去除犧牲層（圖1和圖2）。

對于陶瓷基板上的制造工藝，鈍化層可以減少到只需要在DC和RF線路之間進行隔離的小區域，并且可以在橋下完全去除。

關鍵步驟是膜定義和犧牲層去除，特別是減少對膜的離子轟擊是一個眾所周知的問題，它可能導致干法蝕刻工藝后的膜受到應力和變形。事實上，犧牲層蝕刻需要高度受限的等離子體，以盡量減少對金屬懸浮結構的損壞。所以，適當改變工藝條件，效果一直不錯。梁的特點是應力非常低、平整度高，并且在等離子體蝕刻過程中不會因減少熱和離子碰撞而造成損壞。此外，半導體和塊狀或多層陶瓷的機械行為均未發生變化（圖3）。

最后在表4，顯示了三種RF MEMS開關的性能比較，但所呈現的性能并不具有密切的可比性，因為它們涉及開發研究原型。無論如何，關于Optel開關，懸臂拓撲已顯示出DC和RF性能之間的最佳平衡。通常，歐姆接觸MEMS開關的主要缺點是，由于電橋和傳輸線之間的非零接觸電阻，它們相對于電容開關顯示出更高的損耗，并且由于陶瓷基板的固有粗糙度而進一步增加了接觸電阻。此外，接觸區域容易產生高電流密度和可能的材料轉移，從而導致過早失效。但另一方面相對于雙錨式開關（固定-固定串聯和分流），懸臂式開關可縮短驅動時間并降低吸合電壓。為了獲得緊湊的低損耗歐姆接觸懸臂MEMS開關，已經對這些方面進行了準確的分析和優化。

因此，所設計的懸臂開關已成為可重構射頻MEMS器件的構建塊。在Optel的活動旨在設計用于高頻通信的T/R模塊中的設備，例如步進延遲模塊、移相器和功率分配器。這種器件需要低插入損耗、高可重構性和小尺寸。RF MEMS器件代表了一種極具吸引力的替代方案，可滿足這一要求。因為與傳統MMIC相比，RF MEMS器件保證了低損耗、低功耗和出色的線性度。此外，高頻通信需要具有電子波束控制的發射和接收天線系統，RF MEMS可用于移相器，以控制天線陣列的各個輻射元件的相位。