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隨著電子器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用，半導(dǎo)體器件越來越小型化、集成化、多功能化，對襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性和耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械和絕緣強(qiáng)度、耐腐蝕和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。

由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時它們也具有不同的性能和優(yōu)勢。以下就是區(qū)別。

1、散熱差異

氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱系數(shù)為75-80W/m-k，而鋁陶瓷基板則在170W/m-k以上，可見氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢。

2、電量差異

氮化硅陶瓷基板的電流容量為300A，鋁陶瓷基板為100-300A。

3、機(jī)械強(qiáng)度的差異

氮化硅陶瓷基板比氮化鋁陶瓷基板具有更好的斷裂韌性，不易斷裂。此外，氮化硅陶瓷基板具有更高的彎曲強(qiáng)度。氮化鋁陶瓷基板的抗折強(qiáng)度為365-420Mpa，氮化硅陶瓷基板為720Mpa。同時，氮化硅基板具有更高的硬度和更好的耐磨性，這將提高機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊性，使基板更加可靠。

4、應(yīng)用上的區(qū)別

基于氮化硅陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板的性能差異，它們被用于不同的領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷基板更適用于高導(dǎo)熱、高絕緣和大電流應(yīng)用。

如大功率導(dǎo)熱器件、大功率LED模組、半導(dǎo)體模組電路等。氮化硅陶瓷基板機(jī)械強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好，常用于高強(qiáng)度、低密度、耐磨性好的產(chǎn)品，例如汽車逆變器、減速器和減震器。