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近年來，隨著功率半導體的快速發展，氮化鋁芯片具有寬帶隙和高導熱的特點，覆銅陶瓷基板作為芯片載體，被應用于承載芯片與終端客戶應用中的水冷系統（焊接或燒結）相連，從而達到芯片所要求的高散熱、可靠性和絕緣性能。

首先，概述氮化鋁陶瓷。據了解氮化鋁是一種共價鍵合的化合物，具有穩定的結構和六方釬鋅結構，不存在其他同種異型。其晶體結構是以鋁原子與相鄰的氮原子為結構單元歧化產生的AIN4四面體空間群為P63mc，屬于六方晶系。

目前，先進封裝工藝采用高性能氮化鋁陶瓷板作為導熱陶瓷基板，將銅直接鍵合在氮化鋁上，進一步設計電路、表貼晶體管、功率二極管等。由于其良好的熱性能和電性能，氮化鋁逐漸成為此類基板設計的首選材料，可用作大功率器件的絕緣基板、VLSI的散熱基板和封裝基板等。

氮化鋁覆銅陶瓷基板具有氮化鋁的導熱性和機械強度，以及銅的導熱性和導電性，因此在航空航天領域具有巨大的應用潛力。此外，“銅-氮化鋁-銅”三明治結構可以在電子系統的模塊化和集成化中發揮關鍵作用，作為功率模塊的機械支撐、電氣隔離和散熱路徑。值得注意的是，在氮化鋁覆銅陶瓷基板的應用中，AIN與Cu的界面結合非常重要，界面相決定了陶瓷與金屬銅層的結合力。

熱壓法是通過磁控濺射在氮化鋁表面濺射一層金屬層，然后引入銅片進行熱壓。DBC方法需要對AIN陶瓷和Cu片進行預氧化，然后進行熱處理以進行結合。DBC法制備的陶瓷基板剝離強度約為熱壓法的4倍，Cu與AIN可形成更強的結合力，在環境惡劣的航空航天領域具有較好的應用前景。