熱門(mén)關(guān)鍵詞:展至科技 氧化鋁陶瓷基板/支架 氮化鋁陶瓷基板/支架 陶瓷覆銅板 陶瓷電路板
按AlN的主要制備與應(yīng)用劃分產(chǎn)業(yè)鏈,我們認(rèn)為主要可以分為上游粉體制備,中游基板制備,下游市場(chǎng)應(yīng)用(金屬化)。
氮化鋁粉體至關(guān)重要,國(guó)內(nèi)或由缺乏迎機(jī)遇
高性能的氮化鋁關(guān)鍵在于粉體制備。高質(zhì)量粉末原料是獲得高性能氮化鋁制品的先決條件,要制備高性能的氮化鋁制品,首先需要制備出高純度、細(xì)粒度、分散性好和燒結(jié)性優(yōu)的氮化鋁粉末。如何提高氮化鋁轉(zhuǎn)化率,降低粉末雜質(zhì)含量以及反應(yīng)能耗,縮短工藝流程,節(jié)約成本是制粉過(guò)程中最關(guān)心的問(wèn)題。因此,為了制備高相對(duì)密度、高導(dǎo)熱和高強(qiáng)度的氮化鋁陶瓷,如何制備優(yōu)質(zhì)的氮化鋁粉末得到了國(guó)內(nèi)外研究者們的密切關(guān)注。高品質(zhì)粉體對(duì)下游生產(chǎn)影響大,我們認(rèn)為上下游一體粉體兼有的企業(yè)優(yōu)勢(shì)更大。根據(jù)《高性能AlN粉體合成、特性及成瓷驗(yàn)證》中提到,高品質(zhì)AlN粉體是制備高性能AlN陶瓷基板的重要的前提與保障。不同品質(zhì)的AlN粉體制備的AlN陶瓷基板的密度數(shù)值穩(wěn)定,均保持在3.29-3.30 g/cm3,但其熱導(dǎo)率和抗彎強(qiáng)度的數(shù)值變化幅度較大。
隨著AlN粉體中的O含量由0.85 wt%增大至1.46 wt%,AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率單調(diào)下降,抗彎強(qiáng)度單調(diào)上升。AlN粉體中的O含量主要以粉體表面Al2O3的形式存在,Al2O3與燒結(jié)助劑Y2O3反應(yīng),生成液相,潤(rùn)濕AlN晶粒,促進(jìn)燒結(jié)致密化,同時(shí),中間相YAG、YAP與YAM與AlN間形成強(qiáng)的界面結(jié)合,提高AlN陶瓷基板的抗彎強(qiáng)度;但是,隨著AlN粉體中的O雜質(zhì)含量逐漸增多,生成的釔鋁酸鹽第二相含量也逐漸增多,形成更多的低導(dǎo)熱YAG、YAP與YAM(如,YAG熱導(dǎo)率僅為13.0 W/(m·K)),沿AlN晶界分布,增大了晶界熱阻,降低AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率。粉體的含氧量直接影響熱導(dǎo)率這一關(guān)鍵性能。因此我們認(rèn)為同時(shí)擁有上游粉體生產(chǎn)和陶瓷基板的企業(yè)能及時(shí)調(diào)節(jié)優(yōu)化上游粉體生產(chǎn),對(duì)生產(chǎn)高品質(zhì)陶瓷基板至關(guān)重要。